市调机构Yole Dédevelopement近日发布《内存行业年度状况报告》显示，2022年，DRAM、NAND闪存市场将分别增长25%、24%到1180亿美元、830亿美元，均创历史新高。2021-2027年，独立内存市场预计将以8%的CAGR增长至2600多亿美元。然而，季节性因素仍将存在。
据Evertiq报道，Yole存储器高级市场与技术分析师Simone Bertolazzi博士表示，“在贸易摩擦和新冠疫情爆发的情况下，独立内存市场在过去两年一直在扩张。2020年和2021的收入分别增长了15%和32%。如此显著的增长是大多数细分市场的生产受限和需求强劲增长共同推动的。”
2022年是NAND闪存发明35周年。自1987年以来，NAND设备的位密度和位成本一直在不断提高。为了维持这种规模，人们正在深入研究新的技术解决方案，包括CBA体系结构，如长江存储的Xtacking方法。如今，所有的存储器制造商都在使用混合键合设备进行研发。铠侠和三星等主要供应商正在将晶圆对晶圆键合纳入NAND路线图。
DRAM业务上，Yole指出了当前的共识，即平面缩放——即使通过光刻EUV工艺，也不足以在整个未来十年提供所需的位密度改善。因此，主要设备供应商和领先的DRAM制造商正在考虑将单片3D DRAM（相当于3D NAND的DRAM）作为长期扩展的潜在解决方案。Yole的分析师认为，这种新型3D技术可能会在2029-2030年进入市场。
