以色列半导体存储器开发商Weebit Nano Ltd表示，该公司正在将其嵌入式电阻随机存取存储器（ReRAM）技术扩展到22nm FD-SOI。

据eeNews报道，Weebit正在与CEA-Leti研究所合作设计内存模块，其中包括一个万兆位的ReRAM块，目标是22nm FD-SOI工艺。2021年，Weebit在12英寸晶圆上采用28nm FD-SOI工艺技术测试了可用的1Mbit ream阵列。

格芯在德国德累斯顿的这个生产节点拥有一个批量FDSOI工艺——22FDX。在闪存无法有效扩展到28nm以下的背景下，这为新兴的非易失性存储技术提供了扩展到更高级节点的机会。

与此同时，嵌入式闪存预计不会扩展到22nm，这为Weebit提供了机会，不过相变存储器、磁性RAM和金属氧化物ReRAMs也在开发中，以扩展到这些节点。

Weebit Nano的首席执行官Coby Hanoch在一份声明中表示，“我们继续将Weebit的内存技术发展到更小的几何结构，为物联网、5G和人工智能等应用提供服务，这推动了在嵌入式闪存不再是现实选择的制程节点中，对新型非易失性内存的需求。”

CEA Leti硅组件部门主管Olivier Faynot则在该声明中指出，“将ReRAM技术与FD-SOI结合在一起，对于低功耗嵌入式设备来说是一个巨大的希望，它们需要一种新型的非易失性存储器，并将受益于其效率和鲁棒性（robust，即在异常和危险情况下系统生存的能力）。”